|
|||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DOS |
|||||||
|
|
|
|
|
|
Дата последней модификации: 17 июня 2000 г. |
|
Универсальный экстрактор параметров SPICE-моделей |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
За последние несколько лет широкое распространение получила программа моделирования электронных схем SPICE, став, фактически, мировым стандартом в своей области. Эта программа с успехом применяется как при проектировании БИС/СБИС, так и при разработке различных схем на дискретных элементах. Единственная трудность, возникающая при использовании программы SPICE, заключается в необходимости определения значений параметров моделей, встроенных в эту программу. Существует два основных способа идентификации (экстракции) значений параметров моделей. Первый способ -- определение значений параметров путем обработки экспериментальных данных, вид которых определяется физическим смыслом каждого параметра. Такой путь делает задачу идентификации параметров трудновыполнимой, так как в этом случае отдельно для каждого параметра должна быть разработана своя методика идентификации, причем для многих параметров для этого недостаточно просто знать их физический смысл, необходимо учитывать особенности их использования в уравнениях модели. Эти методики идентификации должны предполагать использование специальных тестовых структур практически для каждого параметра, что для некоторых параметров вообще невозможно. От всех этих трудностей свободен второй способ. Методом идентификации в этом случае является нелинейная многомерная оптимизация с ограничениями. В качестве исходных данных для экстракции используются одна или семейство вольт-амперных, вольт-фарадных или температурных (в зависимости от выбранной SPICE-модели) характеристик. В ходе экстракции подбираются такие значения (из указанных диапазонов) требуемых параметров модели, при которых достигается максимально возможное приближение к экспериментальным значениям соответствующих величин рассчитанных по модели. Это обеспечивается путем минимизации целевой функции, представляющей из себя, в общем виде, сумму по всем экспериментальным точкам квадратов разности экспериментальных и соответствующих модельных значений. Этот способ идентификации параметров заложен в основу программы SPAREXT. |
количество включенных методов оптимизации |
7 |
|
количество различных видов целевой функции |
5 |
|
количество включенных моделей |
14 |
|
количество возможных типов экспериментальных зависимостей |
15 |
|
максимальное количество одновременно идентифицируемых параметров |
34 |
|
максимальное количество экспериментальных точек |
1000 |
|
максимальное количество экспериментальных кривых |
200 |
|
В программу включены следующие методы оптимизации:
симплексный метод Нелдера-Мида;
метод Хука-Дживса;
метод Давидона-Флетчера-Пауэлла;
метод Флетчера-Ривса;
метод прямого поиска;
метод Марквардта-Левенберга;
модифицированный метод наименьших квадратов.
В программе реализованы три типа целевой функции, один из которых имеет, в свою очередь, три подтипа.
Ниже использованы следующие обозначения:
Fobj |
- целевая функция; |
М |
- количество экспериментальных точек; |
Xэксп.i |
- измеренное значение; |
Xмодельi |
- вычисленное значение, соответствующее Xэксп.i |
Функция абсолютной ошибки: |
(1) |
|
Функция относительной ошибки: |
(2) |
|
Функция разностей с весами, указываемыми пользователем: |
(3) |
Тип 2 |
(4) |
|
где |
|
Тип 3 |
||
Симметричная функция относительной ошибки: |
(5) |
Значение любого из приведенных видов целевой функции может быть нормировано.
Нормирование проводится по следующей формуле:
, где Fobj под корнем --
значение рассчитанное по одной из формул (1)-(5).
Ниже перечислены все включенные модели (для каждой модели приведен список параметров).
MOSFET1 - SPICE-модель МОП транзистора (N и P-канального) 1-го уровня: Vds, Vgs, Vsb, TMP, Tnom, Gmin, Lm, Wm, Ad, As, NRd, NRs, Rsh, Rd, Rs, Vto, KP, Gamma, Phi, Lambda, Ld, Wd, Is, Js.
MOSFET2 - SPICE-модель МОП транзистора (N и P-канального) 2-го уровня: Vds, Vgs, Vsb, TMP, Tnom, Gmin, Lm, Wm, Ad, As, NRd, NRs, Rsh, Rd, Rs, Vto, Gamma, Phi, PB, Tox, Nsub, Nfs, Xj, Ld, Wd, Uo, Ucrit, Utra, Uexp, Vmax, Neff, Delta, Is, Js.
MOSFET3 - SPICE-модель МОП транзистора (N и P-канального) 3-го уровня: Vds, Vgs, Vsb, TMP, Tnom, Gmin, Lm, Wm, Ad, As, NRd, NRs, Rsh, Rd, Rs, Vto, Gamma, Phi, Tox, Nsub, Nfs, Xj, Ld, Wd, Uo, Vmax, Delta, Is, Js, Eta, Theta, Kappa.
MOSAID - модель МОП транзистора (N и P-канал): Vds, Vgs, Vsb, Lm, Wm, DL, DW, Vto, Theta, KAPO, Rsm, CM, Kd, Be, Bi, Ks, Kn, Fermi.
CASMOS - модель МОП транзистора (N и P-канал): Vds, Vgs, Vsb, Rd, Rs, Lm, Wm, DL, DW, Vto, Phi, Beta00, Kinf, THinf, Etan, Ai, Li, Ak, Bk, ATheta, BTheta, AlphaN, Csat, Lsat.
BJT - SPICE-модель биполярного транзистор (NPN и PNP): Vbe, Vbc, TMP, Tnom, Gmin, Is, Bf, Nf, Vaf, Ikf, Ise, Ne, Br, Nr, Var, Ikr, Isc, Nc, Rb, Irb, Rbm, Re, Rc, Xtb, Eg, Xti.
JFET - SPICE-модель полевого транзистора с управляющим pn-переходом (N и P-канал): Vds, Vgs, TMP, Tnom, Gmin, Vto, Beta, Lambda, Rd, Rs, Rg, Is.
GASFET - PSpice-модель полевого n-канального GaAs транзистора: Vds, Vgs, TMP, Tnom, Eg, Gmin, Vto, Alpha, Beta, Lambda, Exp, Rd, Rs, Rg, Is.
DIODE - SPICE-модель диода: Vbias, TMP, Tnom, Gmin, Is, Rs, Ncoef, Eg, Xti, BV, Ibv.
DCAP - SPICE-модель емкости плоского pn-перехода: Vbias, TMP, Tnom, Vj, Cj0, Mcoef, Fc.
PNCAP - SPICE-модель емкости сток/истокового pn-перехода МОП транзистора: Vbias, TMP, Tnom, AREA, PRMT, Vj, Cj, Mj, Cjsw, Mjsw, Fc.
RES - температурная SPICE-модель резистора: TMP, Tnom, Rs, Tc1, Tc2, Tce.
CAP - полиномиальная SPICE-модель конденсатора: Vbias, TMP, Tnom, Tc1, Tc2, Npol.
IND - полиномиальная SPICE-модель индуктивности: Ithru, TMP, Tnom, Tc1, Tc2, Npol.
Программа допускает работу со следующими типами экспериментальных характеристик электронных элементов:
для МОП и полевых транзисторов (модели MOSFET1, MOSFET2, MOSFET3, MOSAID, CASMOS, JFET, GASFET): Ids(Vds), Gds(Vds), Ids(Vgs), lg(Ids(Vgs));
для биполярных транзисторов (модель BJT): Ic(Vce), Ib(Vbe), Ic(Vbe), lg(Ib(Vbe)), lg(Ic(Vbe));
для диодов (модель DIODE): Id(Vbias), lg(Id(Vbias));
для диодных емкостей (модели DCAP и PNCAP): C(Vbias), lg(C(Vbias));
для конденсаторов (модель CAP): C(Vbias);
для резисторов (модель RES): R(Tmp);
для индуктивностей (модель IND): L(Ithru).
Здесь: Ids - ток стока;
Gds
- дифференциальная проводимость: Gds(Vds)=(Ids(Vds+Vdincr)-Ids(Vds))/Vdincr;
Vds,
Vgs - напряжения сток-исток и затвор-исток соответственно;
Ib,
Ic - токи базы и коллектора соответственно;
Vbe,
Vce, Vbc - напряжения база-эмиттер,
коллектор-эмиттер, база-коллектор соответственно;
Id
- ток диода;
Vbias
- напряжение смещения на диоде;
C -
емкость;
R -
сопротивление;
Tmp
- температура;
L -
индуктивность;
Ithru
- ток через индуктивность.
Более подробно о программе можно узнать из руководства пользователя, загрузив его с этого сайта (см. ниже).
В настоящее время поддерживаются две компьютерные платформы:
IBM PC: SPAREXT Версия 1.31 /PC/ (Build 126/990616) для DOS/386 и Win32;
VAX/VMS: SPAREXT Версия 1.3 (VAX/VMS) (25.03.92)
Все эти версии функционально эквивалентны.
Руководства пользователя можно скачать здесь:
SPAREXT Версия 1.31 /PC/ Руководство пользователя (ZIP-файл 16161 байт)
SPAREXT Версия 1.3 (VAX/VMS) Руководство пользователя (ZIP-файл 33224 байт)
Для IBM PC существует DEMO версия, функционально эквивалентная коммерческой. Отличие состоит лишь в том, что в DEMO версии ограничены следующие параметры: максимальное количество экспериментальных точек (20); максимальное количество экспериментальных кривых (5).
SPAREXT Версия 1.31 /PC/ DEMO (Build 126/990616) (ZIP-файл 749938 байт)
По всем вопросам, пожалуйста, присылайте сообщения по E-Mail на адрес [email protected].
Copyright © 2000 Alexander V. Loukyanets, All Rights Reserved.